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2001 年度 研究成果報告書概要

原子層選択成長を利用した超微細トランジスタ作製法の研究

研究課題

研究課題/領域番号 11450125
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関広島大学

研究代表者

横山 新  広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)

研究分担者 中島 安理  広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (70304459)
芝原 健太郎  広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (50274139)
研究期間 (年度) 1999 – 2001
キーワードシリコン選択成長 / 原子層成長 / 自己停止機構 / ジシラン / 間欠照射 / シリコン細線 / トランジスタ / クーロンブロッケイド
研究概要

本研究の目的は、原子レベルの膜厚制御性のある原子層成長と選択成長とを利用することによって、MOSトランジスタのゲート長を、従来のリソグラフィーの限界を超える超微細なサイズに制御する新しい方法を開発することである。
異種材料を積層した構造にドライエッチングを施して形成した端面において、特定の材料表面上にのみ、Siの原子層選択成長ができれば、その膜厚制御によってMOSトランジスタのゲート長を原子レベルで制御できる。本研究では、この方法について研究した。研究成果の概要を以下に記す。
1.本研究の基礎となるシリコン系薄膜(シリコン窒化膜)の原子層成長法および原子層選択成長法を開発した。
2.シリコン窒化膜上には成長するが、シリコン酸化膜上には成長しない、シリコンの原子層選択成長法を、ジシラン(Si_2H_6)の間欠照射法によって実現した。
3.その方法を用いて線幅21nm、厚さ28nmのシリコン細線を形成した。その結果、ドライエッチングによるものに比べ1/5以下の電気抵抗率を持つ細線を形成できた。
4.Si_2H_6とSiCl_4の交互照射によって、表面ラフネスの少ない、2分子層/サイクルの自己停止機構をもつシリコンの原子層成長を実現した。
5.Si細線評価のための準備的研究として、製作が容易な熱CVD多結晶シリコンを用いて電子ビームリソグラフィとドライエッチングによりシリコン細線(最小幅95nm、最小膜厚7nm)を形成し、その電気的特性を評価した。その結果、クーロンブロッケイド効果を低温(5^〜80K)で観測し、電気伝導機構を提案した。
6.原子層成長シリコン細線について、80Kにおいてクーロンブロッケイド効果と思われる低電圧領域での電流抑制を観測した。

  • 研究成果

    (14件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (14件)

  • [文献書誌] Shin Yokoyama: "Atomic-Layer Deposition of Silicon Nitride"J. Korean Physical Soc.. 35. S71-S75 (1999)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Walter Hansch: "Characterization of Silicon/Oxide/Nitirde Layers by X-ray Photoelectron Spectroscopy"Appl. Phys. Lett.. 75. 1535-1537 (1999)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Shin Yokoyama: "Low-Temperature Selective Deposition of Silicon by Time-Modulation Exposure of Disilane and Formation of Silicon Nanowires"Extend. Abst. of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 202-203 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Shin Yokoyama: "Low-Temperature Selective Deposition of Silicon on Silicon Nitride by Time-Modulated Disilane Flow and Formation of Silicon Narrow Wires"Appl. Phys. Lett.. 79. 494-496 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Shin Yokoyama: "Self-Limiting Atomic-Layer Deposition of Si on SiO_2 by Alternate Supply of Si_2H_6 and SiCl_4"Appl. Phys. Lett.. 79. 617-619 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Kawamura: "Conduction Mechanism in Extremely Thin Poly-Si Wires -Width Dependence of Coulomb Blockade Effect-"Extend. Abst. of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 438-439 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Kawamura: "Coulomb blockade effects and conduction mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires"J. Appl. Phys. Lett.. 91. 5213-5220 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Shin Yokoyama et al.: "Atomic-Layer Deposition of Silicon Nitride"J. Korean Physical Soc.. 35. S71-S75 (1999)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Walter Hansch et al.: "Characterization of Silicon/Oxide/Nitirde Layers by X-ray Photoelectron Spectroscopy"Appl. Phys. Lett.. 75. 1535-1537 (1999)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Shin Yokoyama et al.: "Low-Termparature Selective Deposition of Silicon by Time-Modulation Exposure of Disilane and Formation of Silicon Nanowires"Extend. Abst. of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 202-203 (2000)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Shin Yokoyama et al.: "Low-Temperature Selective Deposition of Silicon on Silicon Nitride by Time-Modulated Disilane Flow and Formation of Silicon Narrow Wires"Appl. Phys. Lett.. 79. 494-496 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Shin Yokoyama et al.: "Self-Limiting Atomic-Layer Deposition of Si on SiO_2 by Alternate Supply of Si_2H_6 and SiCl_4"Appl. Phys. Lett.. 79. 617-619 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K. Kawamura et al.: "Conduction Mechanism in Extremely Thin Poly-Si Wires - Width Dependence of Coulomb Blockade Effect -"Extend. Abst. of the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. 438-439 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K. Kawamura et al.: "Coulomb blockade effects and condition mechanism in extremely thin polycrystalline-silicon wires"J. Appl. Phys. Lett.. 91. 5213-5220 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より

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公開日: 2003-09-17  

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