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半導体超格子の分野では、フェルミ面上より上の高いエネルギーを持つホットエレクトロンを作り、積極的に利用するデバイスの研究などがなされている。そこで、本研究ではこのホットエレクトロンのスピンを磁性人工格子の巨大磁気抵抗(GMR)効果を利用してコントロールする新しいデバイスの開発を検討するものである。
本年は、まずはじめに膜作製時に金属マスクの交換を真空チャンバー内で行えるように、チャンバーの設計を行い特注で制作を行った。また、I-V特性の測定結果を検討したところ、ホットエレクトロンを作るのに必要な絶縁膜に問題があることが明らかになった。そこで、絶縁膜の作製をAlの自然酸化、酸素を導入したAl_2O_3の反応性スパッタなど種々の方法で検討中である。また、非磁性の絶縁膜を用いるために、スピンバルブ膜で必要な反強磁性体を見直した。その結果、FeMnにPtを添加することにより、耐熱性などを大きく改善できることが明らかとなり、この結果は昨年の日本応用磁気学会で発表し、本年には論文として発表する予定である。
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