| 研究概要 |
本年度ははじめにトンネル障壁の作製法について種々の検討を行った。Al_2O_3を直接スパッタする方法とAlの自然酸化といろいろ条件を変化させて行ったが,その結果真空チャンバー内でのAlの自然酸化がもっとも良好な酸化膜を得られることが分かった。しかし,金属マスクを用いる微細化では素子面積が大きくピンホールの影響により良好なIV特性が得られにくいことが分かり,来年度はフォトリソグラフィとイオンミリングにより微細化を図ろうと考えている。
また,3端子構造の膜を作製し,その磁気特性や電気的特性を測定した。その中で従来と異なった機構により磁界を印加すると大きな電流変化を得ることができ,ベース/コレクタ間の電圧をコントロールすることにより1000%以上の大きな電流変化率が生じることを明らかにした。これは理論的には無限大の変化率を得ることができる。
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