研究概要 |
1.機能性材料とフォトニック結晶の複合技術の開発研究 II VI族及びIII V族化合物半導体として,それぞれCdS,InGaAlAs系半導体を自己クローニング型フォトニック結晶と複合させるプロセスを開発し,発光特性の評価を行った。フォトニック結晶の異方性を反映した発光特性が観測された。 2.偏光分離素子の高性能化 単位セル構造の最適化により,消光比,動作波長域,斜入射特性を改善した。また,ARコートにより反射損失を低減させることにより,挿入損失を低減した。 3.可視域フォトニック結晶の創生 TiO_2/SiO_2を用いた可視域フォトニック結晶を作製した。さらに,これを用いて,複屈折性を利用した波長板や回折格子型偏光分離素子を試作し,動作を確認した。 4.バンドギャップ拡大の研究 自己クローニング法による変調杉綾と垂直孔形成により,完全バンドギャップが得られることを理論的に示した。さらに,これを実現するために反応性エッチングを含んだプロセスを提案し,原理的に可能であることを実験により示した。 5.新しい導波路構造の提案・設計・解析 新たに,格子定数・格子方位変調型の導波路構造を提案し,設計・解析を行い,その構造の有効性を確認した。
|