| 研究概要 |
4ヵ年計画の初年度にあたり以下の研究を実施した。
(1)斜め入射型偏光制御素子の理論検討
本研究で用いる光スイッチのキーデバイスとなる斜め入射型偏光制御素子の偏光回転特性について理論解析し、種々の入射角度での偏光制御特性を理論的に把握して設計方法の確立を図った。そして、0.85μmおよび1.3μm入射光の偏光面を精度良く±90^○スイッチするための最適条件を理論的に求めた。
(2〕偏光制御素子の試作・評価
前項の斜め入射偏光制御素子を実際に0.85μmおよび1.3μmで試作し,実験により理論計算と整合性の良いデータを得て,理論の妥当性を確認した。
(3)多チャンネル光スイッチの検討
偏光制御による積層平面構成の多チャンネル光スイッチ構成方法について、可能性のある様々な代替案を抽出し、サイズ、性能、製造等の面から比較検討した。
|
