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1.He-Cdレーザを購入し、出来うる限り短波長の光を用い、コノスコープ像観察装置を構築した。
2.4x4行列法を用いたコノスコープ像のシミュレーションプログラムを完成させた。
3.上記のシステムを用い、電場による強誘電性液晶のらせん構造消失過程を詳細に観察した。この結果、以下のような結果を得た。
3.1.短ピッチ強誘電性液晶を用いた実験結果は弾性論によるらせん構造変化とその構造に基づく4x4行列法によるコノスコープ像のシミュレーション結果と良く一致した。とくに、電場印加により負の2軸性が明瞭に観察され、理論的にも説明することが出来た。
3.2.これまで負の2軸性はフェリ誘電相に特有のものだとされ、フェリ誘電相の同定に用いられたが電場印加により負の2軸性が現れるのは強誘電性液晶で一般的であることが明らかになった。
3.3.初めて反強誘電性が確認されたMHPOBC試料の強誘電相における過去のコノスコープ像観察はらせんの消失に至るまで十分な電場がかかっていなかったことを見いだし、らせんの完全消失に至るまでの過程を詳細に観察した。この結果、MHPOBCのらせん消失は分極と電場との強誘電的な相互作用を考えただけでは不十分であることを結論した。
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