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1999 年度 実績報告書

機能性単結晶育成過程の仮想実験室システムの開発

研究課題

研究課題/領域番号 11555035
研究種目

基盤研究(B)

研究機関九州大学

研究代表者

宮崎 則幸  九州大学, 工学研究科, 教授 (10166150)

研究分担者 渡辺 隆之  株式会社CRC総合研究所, 構造技術部, 部長
池田 徹  九州大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (40243894)
キーワード機能性単結晶 / 割れ / 転位 / 有限要素法 / 伝熱解析 / 熱応力解析 / 転位密度評価 / 可視化
研究概要

本年度の成果は下記の通りである。
(1)電熱解析用ソルバーとして汎用有限要素法解析コードMARCを用い、その解析結果を(2)に示す熱応力解析サブシステムのソルバーであるCRYSTALに用いることができるようなインターフェースプログラムを開発し、伝熱解析サブシステムを完成させた。また、伝熱解析データの準備および伝熱解析結果の可視化には汎用プリ・ポストプロッセッサーであるPATRANを用いるようにした。
(2)単結晶育成過程の熱応力解析サブシステム、およびマクロな割れ評価サブシステムのソルバーとして宮崎研究室で開発された有限要素法解析コードCRYSTALを用い、可視化用には前述のPATRANを用い、これらを結合するためにインターフェースプログラムを開発し、仮想実験室システムの一部を構築した。このシステムで現在のところ、立方晶、三方晶、単斜晶、正方晶、斜方晶の単結晶育成過程の熱応力解析および割れ評価解析を行うことができる。
(3)過去に宮崎研究室で行われた単斜晶系結晶であるGSOの熱衝撃実験を(1)(2)で開発したシステムを用いて熱応力解析および割れ評価解析を行い、単結晶のへき開面に作用する垂直応力によりGSO単結晶の割れを定量化できることを示した。
(4)CRYSTALレコードのうち今年度新たに付け加えた正方晶系および斜方晶系単結晶の部分について例題を設定して熱応力解析を実施し、その部分の解析コードの健全性チェックを行った。

  • 研究成果

    (2件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (2件)

  • [文献書誌] N. MIYAZAKI: "Dislocation Density Analyses of Bulk Semiconductor Single Crystal during CZ Growth Process (Effects of Crystal Anisotropy)"JSME International Journal. 42・4. 485-491 (1999)

  • [文献書誌] N. MIYAZAKI: "Cracking of GSO Single Crystal Induced by Thermal Stress"Computer Modeling in Engineering and Science. 1・1. 101-107 (2000)

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公開日: 2001-10-23   更新日: 2016-04-21  

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