| 研究課題/領域番号 |
11555035
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
宮崎 則幸 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10166150)
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| 研究分担者 |
渡辺 隆之 (株)CRC総合研究所, 構造技術部, 部長
池田 徹 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教授 (40243894)
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| キーワード | 機能性単結晶 / 割れ / 転位 / 有限要素法 / 伝熱解析 / 熱応力解析 / 転位密度評価 / 可視化 |
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| 研究概要 |
機能性単結晶育成過程の仮想実験室システムは(a)伝熱解析、(b)熱応力解析、(c)マクロな割れ解析、(d)転位密度評価解析、および(e)可視化の5つのサブシステムから構成される。初年度は(a)、(b)と(c)の一部の開発を行った。そこで第2年度の本年度は(d)転位密度評価解析サブシステムに関する研究を行った。主な研究成果は下記の通りである。
(1)単結晶を等方性と仮定して軸対称有限要素モデルを用いた単結晶育成過程の転位密度評価解析コードを開発整備した。
(2)この解析コードを用いてSi、GaAs、InPといった半導体単結晶について試計算を行い妥当な結果が得られることを確認した。
(3)単結晶体の特定のすべり方向の存在、弾性係数といった結晶異方性を近似的に考慮する軸対称有限要素モデルを用いた単結晶育成過程の転位密度評価解析コードを開発整備した。
(4)この解析コードを用いてGaAsとInPについて試計算を行い、結晶育成方向の違いが転位密度に及ぼす影響について明らかにした。
(5)単結晶インゴットのアニール過程の転位密度評価解析できる解析コードを開発した。なお、この解析コードは単結晶を等方性と仮定して軸対称有限要素モデルを用いている。
(6)この解析コードを用いてGaAsインゴットのアニール過程の転位密度評価解析を行い妥当な結果が得られることを確認した。
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