| 研究課題/領域番号 |
11555035
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
宮崎 則幸 九州大学, 工学研究院, 教授 (10166150)
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| 研究分担者 |
渡辺 隆之 (株)CRCソリューションズ, 技術担当部長(研究職)
池田 徹 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教授 (40243894)
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| キーワード | 単結晶育成 / 半導体 / 酸化物 / 熱応力 / 転位密度 / 割れ / 結晶異方性 / 有限要素法 |
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| 研究概要 |
本年度の研究成果は下記の通りである。
(1)弾性係数、特定のすべり方向といった単結晶の結晶異方性を考慮した単結晶育成過程の三次元転位密度評価解析コードのプロトタイプを作成した。これによって単結晶育成方向と転位密度の関係を明らかにできる可能性が開けた。
(2)弾性係数、特定のすべり方向といった単結晶の結晶異方惟を考慮した単結晶インゴットアニール過程の三次元転位密度評価解析コードのプロトタイプを作成した。これによって、インゴット育成時の育成方向とアニール時の転位密度の関係が明らかにできる可能性が開けた。
(3)上記(1)(2)の解析は多大な計算時間が必要となることから、今後は並列処理解析プログラムの開発が必要となるとの見通しを得た。
(4)これまで開発してきた各種単結晶育成過程の熱応力評価解析コードを統合してプリ、ポストプロセッサーを整備して単結晶育成過程の熱応力解析システムを完成した。
(5)本年度が研究の最終年度に当たるので、研究成果をとりまとめて、報告書を作成した。
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