| 研究課題/領域番号 |
11555035
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
宮崎 則幸 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10166150)
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| 研究分担者 |
渡辺 隆之 (株)CRCソリューションズ, 技術担当部長
池田 徹 九州大学, 大学院・工学研究院, 助教授 (40243894)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| キーワード | 単結晶育成 / 半導体 / 酸化物 / 熱応力 / 転位密度 / 割れ / 結晶異方性 / 有限要素法 |
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| 研究概要 |
本研究によって得られた成果は下記の通りである。
(1)単結晶体を等方性体と仮定した場合の転位密度評価解析コードの開発に成功した。これを用いることによりSi、GaAs、InPといった半導体単結晶育成過程の転位密度評価解析を行った。
(2)弾性係数、特定のすべり方向といった単結晶体の結晶異方性を近似的に考慮し、軸対称有限要素法によりこのような結晶異方性を考慮できる転位密度評価解析コードの開発に成功した。この解析コードでは結晶異方性を周方向に平均化することにより、この効果を近似的に考慮している。このように結晶異方性を考慮することにより、GaAsとInPバルク単結晶について結晶育成方向の違いと転位密度との関係を明らかにした。
(3)前記の研究をさらに発展させ、弾性係数、特定のすべり方向といった単結晶体の結晶異方性を厳密に考慮した単結晶育成過程の三次元転位密度評価解析コードのプロトタイプの開発を行った。
(4)単結晶体を等方性と仮定してた単結晶インゴットアニール過程の転位密度評価解析コードの開発に成功した。これを用いることによりGaAsインゴットアニール過程の転位密度評価解析を実施した。
(5)弾性係数、特定のすべり方向といった単結晶体の結晶異方性を厳密に考慮した単結晶インゴットアニール過程の三次元転位密度評価解析コードのプロトタイプの開発を行った。
(6)各種単結晶育成過程の熱応力評価解析コードの開発を行い、これらを統合するとともにプリ、ポストプロセッサーを整備して単結晶育成過程の熱応力解析システムを完成した。
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