スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究

2001 年度 研究成果報告書概要

• 研究課題/領域番号: 11555086
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 展開研究
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 金沢大学
• 研究代表者: 畑 朋延 金沢大学, 工学部, 教授 (50019767)
• 研究分担者: 岡田 修 アネルバ(株), 開発研究所, 所長代理 ; 佐々木 公洋 金沢大学, 工学部, 助教授 (40162359)
• 研究期間 (年度): 1999 – 2001
• キーワード: スパッタリング / 薄膜 / 金属モード / 高誘電率材料 / 制限反応 / ZrO_2 / MOSFET

研究概要

制限反応スパッタリングと名付けた新しいスパッタリング法を研究開発した.この技法を用いて,次世代MOSFET用ゲート絶縁膜としてZrO2誘電体膜を形成した.Si基板表面の酸化が抑制され20を越える高い比誘電率が得られた.酸化物ターゲットを用いた通常のスパッタリング法では酸素イオンや活性種が励起されSi基板は直ちに酸化してしまうが,この堆積法では,そのような酸化種が発生しないので,Si基板とその上の堆積膜の界面は急峻に形成できる.

研究成果

• [文献書誌] K.Sasaki et al.: "Limited Reaction Growth of YSZ Thin Films for Gate Insulator"Vacuum. 66. 457-462 (2002)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] K.Sasaki, T Hata: "Metallic Mode Growth of ZrO_2-Based Thin Films for Gate Insulator Using Reactive Sputtering Technique"Ext. Abs. 2001 AWAD. 93-97 (2001)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] K.Sasaki et al.: "Limited Reaction Growth of YSZ Thin Films for Gate Insulator"Proc. of ISSP. 41-44 (2001)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] K.Sasaki, H.Hata: "Reactive Growth of YSZ Thin Films with Unpoisonell Sputtering Target"Abs. of Joint Workshop of 29th IUVSAT. 381-389 (2000)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] T.Hata et al.: "Surface and Interface of Heteroepitaxially Grown YSZ on (100), (110), (111) Si Substrate be Reactive Sputtering"Abs. IJC-Si. PI-29 (1999)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] M.Nagashima: "Growth Dependence of Reactive Sputtering Yttria-Stubilized Zirconia on Si(100), (110), (111)"Jpn. J. Appl. Phys.. 38. L74-L77 (1999)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(和文)」より
• [文献書誌] Kimihiro Sasaki, Tatsuhiro Hasu, Kenji Sasaki, Tomonobu Hata: ""Limited Reaction Growth of YSZ(ZrO2 : Y2O3) Thin Films for Gate Insulator"Vacuum. in press.
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] K.Sasaki, T.Hata: "MetallicMode Growth of ZrO2-Based Thin Films for Gate Insulator Using Reactive Sputtering Technique"2001 AWAD. 93-97 (2001)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] K.Sasaki, T.Hasu, K.Sasaki, T.Hata: "Limited Reaction Growth of YSZ (ZrO2:Y2O3) Thin Films for Gate Insulator"Proc. Of ISSP. 41-44 (2001)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] K. Sasaki, T. Hata: "Reactive Growth of YSZ(ZrO2:Y2O3) Thin Films with Unpoisoned Sputtering Target"Abs. Of Joint Workshop of 29th IUVSAT. 59-62 (2000)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] Tomonobu Hata, Kenji Sasaki, Yohko Ichikawab, Kihiro Sasaki: "Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) heteroepitaxially grown on Si substrates by reactive sputtering"Vacuum. Vol.59(2-3). 381-389 (2000)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] T.Hata K.Sasaki, Y.Ichikawa, M.Nagashima, K.sasaki: "Surface and Interface of Heteroepitally Grown Yttoria-Stabilized Zircona (YSZ) on (100), (110), (111) Si Substrates by Reactive Sputtering"Program & Abstracts. IJC-Si. PI-29 (1999)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] T Hata K Sasaki, Y.Ichikawa, K.Sasaki: "Mechanisms of heteroepitaxial grown Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) on Si substrates by reactive sputtering"Proc. 5th ISSP '99. 1-2 (1999)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] M.Nagashima, S.Nakano, K.Sasaki, T.Hata: "Growth Dependence of Reactive Sputtered Yttria-Stabilixed Zirconia on Si (100), (110), (111) Substrates"Jpn. J. Appl. Phys. 38, Part2, [1A/B]. L74-L77 (1999)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] K.Kawai, T.Hasu, K.Monju, R.Izumi, K.Sasaki, T.Hata: "Growth of ZrO2 and Gate Insulation Film Characteristics by Limited-Reaction Sputtering"Tech. Rep. Of IEICE. SDM2002-62. 27-31 (2002)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より
• [文献書誌] K.Sasaki, T.Hasu, K.Sasaki, T.Hata: "Preparation of YSZ Ultra thin Film for Gate Inslator Films by Metal/Oxide Mode"Tech. Rep. Of IEICE. CPM2000-123. 39-44 (2000)
  • 説明: 「研究成果報告書概要(欧文)」より