| 研究概要 |
摂動的QCD処方を用いてB中間子がD^<(*)>中間子へレプトンを伴った崩壊を行なう際の形状因子を,以前に行なったβ→π,ρ遷移形状因子の計算手法を発展させて,(B中間子質量)》(D中間子質量)》(QCDスケール)という階層性の下に主要部分を計算した.結果はBファクトリー実験で得られたデータとよい一致を示し,摂動的QCD処方がD中間子という比較的重いハドロンに対しても有効であることが示された.この結果をB→Dπ,B→DKのハドロンへの2体崩壊に発展させる計算が現在進行中である.
B→D_sπ崩壊の分岐比を摂動的QCD処方に基づいて求め,得られた結果とBファクトリー実験で得られたデータを比較することにより,素粒子標準模型における重要なパラメーターの一つである小林・益川行列要素|V_<ub>|を求められることを示した.|V_<ub>|はレプトンを伴うB→π,ρ遷移の研究からも得られるが,両者を比較することで素粒子模型のチェックや摂動的QCD処方の妥当性を知ることができる.
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