| 研究概要 |
薄型CCDの平面位置の一様性をレーザーにより測定した。300μm厚の基板を持つS5466CCDの場合には振幅が15μmの正弦波形の非一様性が見られた。一方、20μm厚のS7170CCDの場合には全面にわたって振幅が60μm以上の大きな歪みが生じていた。さらに大面積を持つ試作CCDでは肉眼ではっきりとわかる大きな歪みを生じており、20μm厚さでは十分な例えベリリウム基板などにより保持するにしても位置の一様性を保つことは難しいと考えた。一方、薄型CCDの物理研究に対する効果は関してシミュレーションで研究を行った。このシミュレーションではビームパイプ半径1.0cm,第一層に100μm厚のCCDを半径1.2cmに設置した場合と、ビームパイプ半径2.0cmで第一層に300μm厚のCCDを半径2.0cmに設置した場合について、bクォーク、cクォーク同定の効率と純度をe^+e^-→Z反応を用いて調べた。重いクォークの同定法としては2次および3次の崩壊バーテックスをトポロジカル・バーテックス法で選び出し、中性粒子のエネルギーを補正したバーテックス質量を求める方法を採用した。この方法ではbクォークに対しては約60%の効率と95%以上の純度で同定でき、cクォークに対しては65%程度の純度で30%ないし40%の純度で同定できた。2種類のバーテックス測定器による検出効率の違いはcクォークの場合には10%であったが、これはさらに解析方法を改善して効率が向上することを期待している。CCDの厚さとしては保持機構も含めてシリコン100μm程度にできればバーテックス測定器の必要な性能が満たせることがわかった。
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