| 研究課題/領域番号 |
11640342
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
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| 研究機関 | 富山大学 |
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研究代表者 |
石川 義和 富山大学, 理学部, 教授 (20143836)
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| 研究分担者 |
桑井 智彦 富山大学, 理学部, 助教授 (10251878)
水島 俊雄 富山大学, 理学部, 助手 (50135000)
櫻井 醇児 富山大学, 理学部, 教授 (30033814)
佐藤 清雄 福井工業大学, 工学部, 教授 (20023070)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| キーワード | セリウム化合物 / 4f電子 / 局在・非局在 / 近藤効果 / 重い電子 / 帯磁率 / 価数揺動 / 単結晶 |
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| 研究概要 |
セリウム化合物CePdAlは局在・非局在の二重性を研究する上で重要な典型物質である。以下に成果を箇条書きする。
※CePdAlの純良単結晶試料の作製に成功し、Ni置換系Ce(Pdl-xNix)Al (x=0〜1.0)の単結晶試料の作製にも成功した。
※東大物性研の協力により、単結晶試料を用いたCePdAlの低温・高圧・高磁場下(最低温度0.51K)での電気抵抗、磁化、帯磁率等の総合的な実験研究から、圧力印加にともなって、ネール点が滑らかに下降し消失していくことを実験的に明らかにした。CePdAlの磁性の崩壊を直接的に磁化測定から示したのは始めてである。
※富山大学でも希釈冷凍機を用いた高圧下での実験を新たに立上げ、0.1Kまで下げた実験を可能にした。この結果、0.1Kまでの電気抵抗は温度の1.5乗に従う事が示された。
※単結晶CePdAlの残留抵抗は約20μΩcmであったが、1.2GPaの圧力により減少し、また、磁場印加(圧力は0)によっても減少した。この残留抵抗は量子的な磁気ゆらぎにより残留していることを示している。また、このことは、この試料でのドハースファンアルフェン効果の実験の可能性を示唆した。
※Ni10%置換のCe(Pd0.9Ni0.1)Alの単結晶試料による同様な高圧・極低温実験からは、新たに、高温側(100K)の電気抵抗が圧力により大きく上昇することが見られた。これは近藤温度が圧力により上昇したためと考えられるが、更に検討が必要である。
※Ni置換のCe(Pdl-xNix)Al(x=0〜1.0)の単結晶試料による熱電能(S)の温度依存性の研究では、予想外の大きな正の熱電能が得られ、また、低温での熱電能の温度勾配(dS/dT)は量子臨界点からずれた所(x=0.4)で最大になることがわかった。
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