| 研究概要 |
本年度の研究では,動的分子場理論(DMFT)を拡張して,スピンゆらぎの自己無撞着繰り込み理論(SCR)をもとり込んだ,強相関電子系にも適用可能な統一理論をほぼ完成させ,論文として発表した。その概要は以下の通りである。まず,DMFTに現れる1不純物問題を解くために,改良型の反復摂動論を定式化した。これは弱相関から出発して,強相関極限まで適用できるよう外挿したもので,KotliarやLevy-Yeyatiらのものよりも簡略化して使いやすくしてある。この方法の有効性は,関連した量子ドットの近藤問題に適用して確認した。次にこれを元に,局所動的帯磁率の表式を得た。さらにこれを用いて一般化された動的帯磁率を表わし,SCR理論と同様の磁気モーメントの大きさに関する条件を課すことによってスピンゆらぎを取り込んだ理論を定式化した。この理論は量子臨界点近傍においてはSCR理論と同等になるが,強相関に伴う効果,特に有限温度・有限エネルギーでの物質固有の構造などを考慮することができる。本年度はこれを単バンドHubbard模型に適用して実際に計算を行い,確かに機能することを示した。他方では,近藤絶縁体の研究を進め,特に,FeSiを電子相関の立場から詳しく研究し,光学伝導度の温度変化が多体効果から来ていることを明らかにする計算を行った。ただし,スピンゆらぎはまだ取り込んでいない。
来年度以降は,本研究の方法を,(a)近藤絶縁体(YbB_<12>,CeNiSn,FeSiなど),(b)重い電子系におけるメタ磁性(CeRu_2Si_2など),などに適用してゆきたい。
|
