| 研究課題/領域番号 |
11650003
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| 研究機関 | 宇都宮大学 |
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研究代表者 |
中井 俊一 宇都宮大学, 工学部, 教授 (70081429)
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| 研究分担者 |
山崎 貴史 三井金属株式会社, 総合研究所, 研究員
柏倉 隆之 宇都宮大学, 工学部, 助手 (90261817)
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| キーワード | シリサイド / シリコン界面 / 軟X線発光スペクトル / 逆光電子スペクトル / X線光電子スペクトル |
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| 研究概要 |
1.通電加熱型試料ホルダーの製作
(1)Si基板表面を清浄化するためには、超高真空中で約1200℃まで加熱クリーニングする必要がある。そこで、通電加熱型試料ホルダーの製作を行った。
(2)製作した試料ホルダーのテストおよびRHEEDパターンの観察を行った。
2.Si基板上へのMnの蒸着
(1)加熱クリーニングしたSi基板上にMnをMBE装置により蒸着し、その後種々の温度でアニールし、それをXPS装置によりSi2p,Mn2pスペクトルを測定した。
(2)その結果、アニーリング温度450℃〜500℃にて安定なMnシリサイドの形成を確認出来た。
3.現在の進行状況と今後の計画
(1)MBEにてMn蒸着中に真空度の悪化があり、試料の酸化が起こるので、蒸着装置の改良を行う。
(2)Mnの低堆積度でのSiとMnの界面状態についての解明を行う計画である。
(3)作成した試料について軟X線発光スペクトル及び共鳴逆光電子スペクトルの測定を行う。
(4)本研究に関連した学会発表を2000年3月の応物学会(青山学院大学)で行う予定である。
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