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1999 年度 実績報告書

マルチフェーズエピタキシ技術の構築によるワイドギャップ半導体の新規物性探査

研究課題

研究課題/領域番号 11650005
研究機関千葉大学

研究代表者

小林 正和  千葉大学, 工学部, 助教授 (10241936)

研究分担者 買 岸偉  千葉大学, 工学部, 助手 (90280916)
松末 俊夫  千葉大学, 工学部, 講師 (20209547)
キーワードマルチフェーズ構造 / ZnCdS / 分子線エピタキシー / 六方晶 / 立方晶
研究概要

今年度はマルチフェ-ズ構造の作製のための初期段階として、一定の組成を持った半導体材料を、結晶の双安定性を利用して、異なった結晶構造の元作製することを試みた。今回は、通常立方晶と六方晶の両方を示すことが知られているZnSとCdSの混晶であるZnCdSを格子整合しているGaAs基抜上(111)面において分子線エピタキシーほうにより成長を試みた。
その結果、
・ZnCdSにおいて基板温度を制御することにより六方晶と立方晶の面構造を制御できることを明らかにした。
・また、不純物のドーピングによっても六方晶と立方晶の面構造を制御できることを明らかにした。
・さらには、基板表面の極性を変化させることによっても六方晶と立方晶の両構造を制御できることを明らかにした。
これらのことは、マルチフェーズ構造を作製する上で極めて基礎的で重要な知見であると考えられる。

  • 研究成果

    (2件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (2件)

  • [文献書誌] M. Kobayashi: "Luminescence properities of CdS quantum dots on ZnSe"J. Vac. Sci. Technol.. B17. 2005-2008 (1999)

  • [文献書誌] M. Kobayashi: "Homoepitaxy of ZnSe on the citric acid etched (001) ZnSe Surface"J. Cryst. Growth. 201/202. 474-476 (1999)

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公開日: 2001-10-23   更新日: 2016-04-21  

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