| 研究概要 |
GaAs基板上に作製したFeSe薄膜の構造解析を行った.
(1)FeSe薄膜の作製
GaAs基板上に高周波マグネトロンスパッタ装置にて作製したFe薄膜(膜厚50〜600nm)を,分子線エピタキシー装置内にてセレン化を行うことにより、FeSe薄膜を得た.セレン化の条件は基板温度400℃,セレン分子線強度4×10^<-8>Torrとした.
(2)基礎特性の評価
得られたFeSe薄膜に関して(1)オージェ電子分光(AES)を用いたFe,Se,Ga,Asの各元素に関する深さ方向の濃度プロファイルの測定,(2)エネルギー分散X線分光法(EDX)によるFe/Se組成解析,(3)走査型電子顕微鏡(SEM)による表面モフォロジー観察を行った.
(3)X線回折法を用いた構造評価
GaAs(001)方向(膜垂直方向)2θ-θスキャンにより,FeSe薄膜からは(00L)回折ピークのみが観測された.さらに逆格子空間マッピング測定を行った結果,バルクFeSe薄膜に多い六方晶構造ではなく,得られた薄膜は立方晶の結晶構造を有する可能性が示唆された.また,(110)回折,及び(LLL)回折が得られていることから,SEMで観察されたコラム型は,膜垂直方向はFeSe(001)配向しており,膜面方向はコラム毎にランダムな配向をしていることが示唆された.今後,結晶構造を仮定した計算から,回折パターンのフィッティングを行い,さらに検討を進める.
その他,平成12年度はこれらの成果を踏まえ,さらに試料振動型磁力計(VSM)を用いた磁化測定,及び,磁気輸送特性(抵抗率,ホール効果,磁気抵抗効果)の測定を行う予定である.
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