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シリコンMOSFETの微細化と共に重要度を増しつつあるソース・ドレイン近傍でのドーパントの2次元プロファイルを評価する手法の研究を行った。一次元すなわち、深さ方向のプロファイル測定の手法として広く用いられているSIMS(二次イオン質量分析)を利用して2次元分布を抽出する手法を提案した。イオン注入の際に入射イオンが散乱を受け横方向に拡がりを持つ。このため、周期的に配列されたマスクを介してイオン注入を行うと、マスク開口が散乱による横方向拡がりよりも狭くなると実効的な注入ドーズが減少する。このため、マスク材料を除去した後にSIMS測定を行うと開口幅と実効的なドーズ量の関係を求めることができる。横方向拡がりに適当な関数を仮定しフィッティングを行えば2次元プロファイルを得ることが可能である。検証実験としてポリシリコンあるいはフォトレジストをマスクに用いてB注入を行いSIMS分析を行った。この結果マスク開口部のアスペクト比を大きくする必要があることが明らかになった。また、SEMを用いた観察手法についても検討を行った。ドーピング濃度によって二次電子放出確率が変化することを利用する手法である。空間分解能を改善するために斜め研磨をSEM観察前に行ったが、研磨によると思われるダメージの影響で明瞭な分布像を得ることができなかった。研磨ダメージ除去のためにシリコン基板を薄くエッチングする方法を併用したが劈開面と同等の像は得られなかった。
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