| 研究課題/領域番号 |
11650338
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
嶋脇 秀隆 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (80241587)
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| 研究分担者 |
佐藤 信之 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (10178759)
横尾 邦義 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (60005428)
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| キーワード | 微小冷陰極 / 電界電子放射 / 真空マイクロエレクトロニクス / 半導体FEA / 電子光学 |
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| 研究概要 |
1.n型Si電界放射陰極にYAG2倍波(533nm,CW)レーザー光をチョッパーを用いて数十kHz〜数百kHzの間隔で断続的に照射し、光の照射に対する電子放射特性の変化を測定した。その結果、放射電流量はレーザー光のオン、オフに対してp型同様、速やかに応答して変化すること、レーザー光の強度にほぼ比例することから伝導帯のキャリア密度を制御することで放射電流の制御が可能であるとの知見を得た。現在、n型、p型Si電界放射陰極の放射電子のエネルギー分析を行っており、今後、光照射の有無におけるそれぞれの電子のエネルギー分布との比較検討を行う予定である。これにより、電界電子放射における光の寄与についての知見が得られるものと思われる。
2.製作したSi電界放射陰極からの放射電子を用いて、福岡工大の石塚はスミス・パーセル光の放射実験を行った。電子ビームエネルギー15〜60keVの境域で350〜750nmのスミスパーセル光を発生した。得られた光はスミスパーセル放射理論とよく一致している。
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