| 研究課題/領域番号 |
11650344
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
呉 南健 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (00250481)
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| 研究分担者 |
坂本 克好 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 (20251704)
安永 均 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (40017330)
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| キーワード | GaAs / テラヘルツ / ダイオード / ショットキー |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、電気化学一貫プロセスを用いて、テラヘルツ帯GaAsショットキー接合ダイオードを実現することにある。本年度は次の2点を遂行した。
1)GaAsショットキー接合ダイオードの設計方法を確立した。テラヘルツ帯ショットキー接合ダイオードの遮断周波は接合容量と接合抵抗の積に半比例することがわかった。接合容量と接合抵抗はトレイドオフの関係にある。動作周波数に応じて、ダイオードの構造パラメータ(エピタキシャル層の不純物濃度と厚さ、接合面積、その他)の最適設計を行った。
2)陽極酸化法を用いてハニカム構造のマスクを形成した。まず、真空蒸着法を用いてGaAs基板上にAl薄膜を蒸着する。そして、陽極酸化法でAl薄膜を酸化する。原子間力顕微鏡(AFM)と走査型電子顕微鏡によってマスクの形状を評価し、プロセスの最適化を行った。ダイオード試作に使用できる酸化膜マスクを得た。
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