| 研究概要 |
加圧容器内で無電解めっきを行い,処理温度,処理時間がめっき膜生成速度に及ぼす影響を調査した.耐摩耗性を向上させるため共析粒子としてSiCを用いるが,SiCを共析させた際の共析率,共析粒子径および成膜速度に加圧容器内圧カ,処理温度,処理時間,撹拌速度が及ぼす影響について調査した.これらにより以下の結果を得た.高圧下で無電解めっきを行うことにより373K以上の温度でのめっきを可能とした.成膜速度はSiC粒子の有無によらず,めっき温度を上昇させることにより向上し,363Kを基準として,399Kで約4倍,413Kで12倍になる.成膜速度は,撹拌速度の上昇により635rpmまで向上し,その後一定値に近づく.635rpmでの成膜速度は140rpmと比較して1.2倍になる.リン含有量は,めっき温度の上昇に伴い増加し,363Kを基準として,413Kで約1.5倍になる.また,今回得られたリン含有量範囲における結晶構造の違いは見られない.粒子共析率は,SiC添加量が増如するにつれて増加し,約5kg/m^3で飽和する.またSiC添加量が1kg/m^3を越える領域では,めっき温度の低い363Kの方が高い.共析粒子径はめっき温度を上昇させると大きくなる.粒子共析率は,撹拌速度によって変化し,355rpmで最も高い値を示す.共析粒子径は撹拌速度の上昇により小さくなる.粒子共析率が高く,共析粒子径が大きいほど耐摩耗性は向上する.
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