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1999 年度 実績報告書

光により酸またはアミンを生成する高分子の合成とその応用

研究課題

研究課題/領域番号 11650912
研究機関大阪府立大学

研究代表者

白井 正充  大阪府立大学, 工学部, 教授 (00081331)

研究分担者 角岡 正弘  大阪府立大学, 工学部, 教授 (50081328)
キーワード146nm光 / フォトレジスト / 光酸発生剤 / 光塩基発生剤 / 表面修飾レジスト / 真空紫外光
研究概要

1)146nm光照射によってスルホン酸を発生するポリマーを合成した。ポリマーは、スチレンスルホニルクロリドと種々のオキシム化合物あるいはNーヒドロキシイミド化合物との反応で得たスチレン型モノマーと、メタクリル酸メチルあるいはメタクリル酸ブチルとのラジカル共重合で得た。いずれのポリマーも、窒素雰囲気下、146nm光照射によってスルホン酸を生成することが分かった。酸発生の効率は用いたオキシムあるいはN-ヒドロキシイミドの構造に依存したが、おおむねスルホン酸のオキシムエステルユニットを持つものの方が高効率であった。露光表面をアルコキシシランの蒸気に曝せばポリシロキサンが生成し、酸素プラズマでエッチングすればネガ型の微細像が得られることが分かった。
2)146nm光照射によってアミンを発生する化合物の合成とその光反応を検討した脂肪族ケトンのオキシムとメタクリル酸クロリドとの反応でモノマーを得た。このものは種々のビニルモノマーとのラジカル共重合が可能であった。得られたポリマーは146nm光照射により、側鎖にアミンを生成する事が分かった。
3)146nm光でアミンを生成するユニットと254nm光でスルホン酸を生成するユニットを有するポリマーを合成した。このものは146nm光でパターン露光後、254nm光で全面露光し、アルコキシシランの蒸気に曝せば146nm光露光部分以外にポリシロキサンが生成し、酸素プラズマでエッチングすればポジ型の微細像が得られることが分かった。

  • 研究成果

    (5件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (5件)

  • [文献書誌] Masamitsu Shirai 他: "Positive Surface Modification Resist System"J. Photopolym. Sci. Technol.. 12・4. 669-672 (1999)

  • [文献書誌] Masamitsu Shirai 他: "Sulfonic Acid Generating Polymers for 146nm Irradiation"J. Photopolym. Sci. Technol.. 12・5. 721-724 (1999)

  • [文献書誌] Masamitsu Shirai 他: "Photoacid and Photobase Generation in Photoresists"Trends Photochem. Photobiol.. 5. 169-185 (1999)

  • [文献書誌] 白井正充 他: "光によるアミン発生を利用する表面修飾型フォトレジスト"高分子加工. 48・12. 567-573 (1999)

  • [文献書誌] Masamitsu Shirai 他: "Highly Sensitive Positive Surface Modification Resists"Microelectronic Eng.. (印刷中).

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公開日: 2001-10-23   更新日: 2016-04-21  

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