| 研究課題/領域番号 |
11650912
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
白井 正充 大阪府立大学, 工学研究科, 教授 (00081331)
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| 研究分担者 |
角岡 正弘 大阪府立大学, 工学研究科, 教授 (50081328)
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| キーワード | 光酸発生剤 / 光塩基発生剤 / ポシ型フォトレジスト / 表面修飾 / ドライ現像 / 表面イメージング / イミノスルホナート / オキシムエステル |
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| 研究概要 |
光により酸を発生する基や光によりアミンを発生する基を有するポリマーを合成し、化学気相堆積法(CVD法)によって、露光面あるいは未露光表面で選択的にポリシロキサンを生成させ、プラズマ現像でネガ型あるいはポジ型像を得る、表面イメージング用フォトレジストへの応用を検討した。1)O-アクリロイルナフトフェノンオキシムとスチレンスルホン酸のアルキルエステルを共に含むポリマーを合成した。このポリマーは193nm光でアミンを生成すると共に、加熱によりスルホン酸を生成することがわかった。このポリマー薄膜に193nm光でパターン露光した後加熱し、その後アルコキシシランの蒸気に曝してから、酸素プラズマでエッチングすればポジ型のパターンが得られることがわかった。
2)O-アクリロイルアセトンオキシム(AAO)とテトラヒドロナフチリデンイミノスチレンスルホナート(NIS)を共に有するポリマーを合成した。このものは146nm光や193nm光照射により、AAOとNISが共に分解し、それぞれアミンとスルホン酸を生成した。一方254nm光や248nm光照射ではNISユニットのみが分解し、スルホン酸が生成した。AAO組成がNIS組成よりも高いポリマー薄膜を用い、193nm光でパターン露光し、その後254nm光で全面露光したのち、アルコキシシランの蒸気に曝してから、酸素プラズマでエッチングし、線幅0.14μmのポジ型パターンを得た。
3)146nm光でスルホン酸を生成する種々のタイプのポリマーを合成し、表面修飾用ネガ型レジストとして利用できることを見出した。
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