| 研究課題/領域番号 |
11694123
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
室田 淳一 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
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| 研究分担者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (30271993)
松浦 孝 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (60181690)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| キーワード | SiGe / MOS / HBT / CVD低温選択成長 / in-situ不純物ドーピング / SiGeC / 不純物拡散 / 高選択異方性エッチング |
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| 研究概要 |
本基盤研究は、低電圧・低消費電力・超高速・大容量移動体通信システムの実現のため、SiGe系のMOSとHBTを集積した、新しい低電圧・低消費電力・超高速・大容量移動体通信用システムオンチップの製作技術を開発することを目的として、ドイツ半導体物理学研究所研究チームとの国際学術研究として3年計画で推進してきた。本年度は、その最終年度として、SiGe系半導体極微細構造の形成(不純物ドープSiGe(C)半導体薄膜形成の超高精度制御の実現とそ定式化、SiGe系半導体極微細構造の高選択異方性エッチング、プロセス原料ガス分子の吸着・反応定数の一覧表への集約、原子層成長制御および原子層プラズマプロセスのデータベース化、Pの原子層ドーピングによる超高濃度半導体の実現、原子オーダ窒化制御と窒素の原子層ドーピングの実現)と、超高速通信用デバイス技術(高精度要素プロセス技術の開発、集積化デバイス制作プロセスの構築、超高速デバイス構造とその製作プロセスの検討、デバイス試作と超高速動作の評価)の基盤研究を実施し、成果を得た。特に、デバイス技術としては、ソース/ドレインに自己整合形成不純物ドープSiGeを用いた0.1ミクロン極微細MOSデバイスのCMOS構成化、SiGeチャネルpMOSFETでの優れた低周波雑音特性の実証、100GHz-HBTのデバイス構造およびプロセス、低抵抗配線コンタクトの製作、CドープによるB、Pの不純物拡散抑制制御など、研究発表論文にも示すように重要な成果を得た。さらに、デバイスへの応用に重要な、SiGe(C)の極微細構造の高精度評価法の開発も行った。
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