| 研究概要 |
超先端高密度集積回路素子開発のための課題となっている極微量プロセス汚染元素について、これまで日本側で研究開発しているイオンプローブによる超高感度局所分析技術とドイツ側で進められているウェーファーレベルの汚染分析技術を、同一試料について相補的に用いた共同研究をすることにより、これまで不可能であった局所的超高感度分析技術を確立することを目的とした。
1.日本側で開発を行ってきたイオンマイクロプローブとナノプローブによる高感度局所分析技術(FIB-RBS, TOF-RBS)とドイツ側のSIMSやVPD-TXRFおよびVPD-AAS等の破壊的計測法との比較計測により、両者の計測法のトレードオフを明らかにした。
2.ウェーファーレベルからデバイスプロセスレベルに至る汚染元素の特定、定量のための計測を双方で行った。また、イオンプローブの応用の可能性として、極浅不純物分布とSOI MOSFETの信頼性計測についても検討した。
3.ウェーファー内の少数キャリアの寿命、拡散係数、これらの2次元マッピングと本研究による汚染元素の局所分析による2次元計測の比較を行い、イオンプローブによる局所汚染不純物元素計測の優位性を示した。
4.以上の共同研究を双方の研究所を互いに訪問して行い、本分析技術の基礎を確立した。
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