1999 年度実績報告書

変調ドープ量子細線の研究

研究課題

研究課題/領域番号	11694158
研究種目	基盤研究(B)
研究機関	大阪大学
研究代表者	中島尚男大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20198071)
研究分担者	前橋兼三大阪大学, 産業科学研究所, 助手 (40229323) 長谷川繁彦大阪大学, 産業科学研究所, 助手 (50189528)
キーワード	量子細線 / GaAs / InAs / 変調ドープ / フォトルミネセンス / 電気抵抗 / 分子線成長 / 走査型トンネル顕微鏡
研究概要	微傾斜GaAs(110)面上に分子線成長の際形成される巨大ステップとステップ端における膜厚変化を利用してGaAsおよびInAs量子細線を形成した。透過電子顕微鏡およびフォトルミネセンスにより量子細線が形成されていることを確認した。また分子線成長装置と結合した走査型トンネル顕微鏡により、ステップの形成とその上のInAsの挙動をその場観察することに成功した。さらに劈開面より、量子細線断面も走査型トンネル顕微鏡により観察した。不純物ドーピングの条件を確立して、GaAs量子細線へ変調ドープを試み、フォトルミネセンスにより調べた。その結果ドープ量によって発光ピーク位置がシフトし、また励起光強度によっても発光ピーク位置がシフトすることが測定され、変調ドープがされていることが分った。マイクロ・フォトルミネセンスによりさらに詳細に調べる予定である。また、微細加工技術を用いて電極をつけ、量子細線と平行および垂直な方向の電気抵抗を測定し、平行な方向の電気抵抗が非常に低いことから、変調ドープがされていることが明らかになった。今後、スプリット・ゲート電極をつけて測定する予定である。同じ微細加工技術を用いて走査型カソードルミネセンス装置を用いてドリフト移動度を測定する試料を作製し、オット・フォン・ゲリッケ大学にて測定を開始した。以上の結果をもとにさらに均一性の高い量子細線の形成と再現性のある変調ドープを行う予定である。

研究成果

(8件)

すべてその他

すべて文献書誌 (8件)

[文献書誌] B.R.Shim: "Transmission electron microscopy and photoluminescence characterization of InGaAs strained quantum wires on GaAs vicinal(110) substrates"J.Korean Phys. Soc.. 35. S599-S603 (1999)
[文献書誌] B.R.Shim: "Size and composition dependence of photoluminescence from InGaAs Quantum wires"Proc.11^<th> Int.Conf. on Inp and Related Materials. 495-498 (1999)
[文献書誌] K.Bando: "Photoluminescence of InAs Quantum Wires on Vicinal GaAs(110) Substrates"Microelectronic Eng.. 47. 163-165 (1999)
[文献書誌] T.Nishida: "Photoluminescence of modulation doped GaAs quantum wires on vicinal GaAs(110) substrates"Microelectronic Eng.. 47. 171-173 (1999)
[文献書誌] S.Torii: "Transmission electron microscopy and photoluminescence characterization of InAs quantum wires on vicinal GaAs(110) substrates by molecular beam epitaxy"Jpn. J. Appl. Phys. 38. 4673-4675 (1999)
[文献書誌] K.Kobayashi: "Photoluminescence inner core excitation in semiconductor quantum structures"Physica E. (in press).
[文献書誌] T.Okui: "Shearing orientation dependence of cleavage step structures on GaAs(110)"Surf. Sci. Lett.. (in press).
[文献書誌] K.Maehashi: "Photoluminescence core-level excitation of CdSe quantum dot structures"J. Crystal Growth. (in press).

1999 年度 実績報告書

変調ドープ量子細線の研究

研究代表者

中島 尚男 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20198071)

研究成果

[文献書誌] B.R.Shim: "Transmission electron microscopy and photoluminescence characterization of InGaAs strained quantum wires on GaAs vicinal(110) substrates"J.Korean Phys. Soc.. 35. S599-S603 (1999)

[文献書誌] B.R.Shim: "Size and composition dependence of photoluminescence from InGaAs Quantum wires"Proc.11^<th> Int.Conf. on Inp and Related Materials. 495-498 (1999)

[文献書誌] K.Bando: "Photoluminescence of InAs Quantum Wires on Vicinal GaAs(110) Substrates"Microelectronic Eng.. 47. 163-165 (1999)

[文献書誌] T.Nishida: "Photoluminescence of modulation doped GaAs quantum wires on vicinal GaAs(110) substrates"Microelectronic Eng.. 47. 171-173 (1999)

[文献書誌] S.Torii: "Transmission electron microscopy and photoluminescence characterization of InAs quantum wires on vicinal GaAs(110) substrates by molecular beam epitaxy"Jpn. J. Appl. Phys. 38. 4673-4675 (1999)

[文献書誌] K.Kobayashi: "Photoluminescence inner core excitation in semiconductor quantum structures"Physica E. (in press).

[文献書誌] T.Okui: "Shearing orientation dependence of cleavage step structures on GaAs(110)"Surf. Sci. Lett.. (in press).

[文献書誌] K.Maehashi: "Photoluminescence core-level excitation of CdSe quantum dot structures"J. Crystal Growth. (in press).

1999 年度実績報告書

中島尚男大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20198071)