ナノ構造半導体デバイスに関する教育・研究交流

1999 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 11695042
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 研究機関: 電気通信大学
• 研究代表者: 森崎 弘 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (00029167)
• 研究分担者: 小野 洋 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 (00134867) ; 内田 和男 電気通信大学, 電気通信学部, 講師 (80293116)
• キーワード: グリフィス大学 / ナノ構造デバイス / MEMS / 電子線ソングラフィー / 集積デバイス

研究概要

(1)Harrison教授招平へい
平成11年9月5日から同年9月11日まで日本に滞在し、本学には、9月8日から10日まで滞在された。そこでは、グリフィス大学の彼の研究グループによる研究内容の紹介を受け、ついで、両大学のデバイス技術の融合によりナノ構造デバイスやMEMS(Micro-Electromechanical Systems)の実現の可能性について議論した。また、SVBL内の半導体プロセス装置を見学してもらい、グリフィス大学内の装置と相補関係にある部分の多いことが確認された。
(2)森崎によるグリフィス大学訪問
平成11年12月10日から12月18日までブリスベンに滞在し、その間、まず、13日、14日の両日には、ブリスベン市内のオーストラリア工学会のホーケン・オーディトリウムで開催された、School of Microelectronic Engineering Research Conference 1999(MERC)に出席して、グリフィス大学マイクロエレクトロニクスグループの研究内容を詳しく聴く機会を得た。ついで、ブリスベン郊外にある、グリフィス大学ネーサンキャンパスを2日間にわたって訪問し、デバイス、集積回路に関する設備を見学して、Harrison教授らと今後の研究の進め方を議論した。III-V族半導体に電子線リソグラフィーを組み合わせたデバイスが可能性として上げられた。
(3)内田、小野によるグリフィス大学訪問
平成12月3月3日から3月6日まで滞在し、グリフィス大学Harrison教授、Sweatman博士らとお互いの研究内容を発表し合い、それぞれの所有している装置の性能比較検討を行い、光センサーを含む集積デバイスを共同で開発する検討に入った。

研究成果

• [文献書誌] Souri Banerjee,S.Nozaki and H.Morisaki: "Coulomb-blockade effect observed at room temperature in Ge nanocrystalline films deposited by the clustter-beam evaporation technique"Appl. Phys. Lett.. Vol.76,No.4. 445-447 (2000)
• [文献書誌] Souri Banerjee,S.Nozaki and H.Morisaki: "CB Characteristics observed in Ge nanocrystalline films prepared by Cluter Beam Evaporation Technique"Proc. 10th international workshop on Semiconductor Physics Device. 931-936 (1999)
• [文献書誌] H.Ono,T.Sone,H.Morisaki and S.Yugo: "Application of Diamond Thin Films to Photoelectrochemical Electrode"New Diamond and Frontier Carbon Technology. Vol.9,No.5. 345-356 (1999)
• [文献書誌] S.Wada,C.Kaito,S.Kimura,H.Ono and Alan T.Tokunaga: "Carbonaceous onion-like particles as a component of intersteller dust"Astron. Astrophys.. 345. 239-246 (1999)
• [文献書誌] J.Zeman,G.Martinez,P.Y.Yu,S.K.Kwok and K.Uchida: "GaAs/(ordered)GaInP_2 Heterostructures and High Magnetic Fields"Physica Status Solidi B. 211. 239-246 (1999)
• [文献書誌] T.Kobayashi,A.Matsui,T.Ohmae,K.Uchida and J.Nakahara: "Time-Resolved Photoluminescence Study of GaAs/Ordered GaInP Interface under High Pressure"Physica Status Solidi B. 211. 247-253 (1999)
• [文献書誌] 内田和男、P.Yu,J.Zeman,G.Martinez,松本 功: "自然超格子を有するGaInP/GaAsヘテロ構造におけるホトルミネッセンス・アップコンバージョンの高圧及び高磁場を用いた研究"電子情報通信学会 論文誌. J82-C-11. 392-397 (1999)
• [文献書誌] J.Zeman,S.Jullian,G,Martinez,P.Y.Yu and K.Uchida: "Nanometer size determination of type-II domains in Cu-Pt-ordered GaInP_2 with high pressure magneto-luminescence"Europhys. Lett.. 47. 260-266 (1999)
• [文献書誌] J.S.Colton,P.Y.Yu,K.L.Leo,E.R.Weber,P. Perlin, I.Girzegory,K.Uchida: "Selective excitation and thermal quenching of the yellow luminescence of GaN"Appl. Phys. Lett.. 75. 3273-3275 (1999)