| 研究課題/領域番号 |
11695042
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
森崎 弘 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (00029167)
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| 研究分担者 |
小野 洋 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 (00134867)
野崎 真次 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (20237837)
内田 和男 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (80293116)
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| キーワード | グリフィス大学 / Position Sensitive Detector (PSD) / MOVPE法 / HBT / 粒状金属薄膜 / クーロンブロッケード / クラスタービーム蒸発法 |
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| 研究概要 |
(1)グリフィス大学グループとの研究交流
グリフィス大学大学院学生のJoshua Combes氏を再度招聘して、いくつかのタイプのPSDの検出誤差のシュミレーション実験を行い、測定誤差を算出した。また、検出時に問題となるバックグラウンドの除去に関する検討を行い新しい知見を得た。
(2)MOVPE法によるヘテロ構造デバイスの作製と評価
FSDの要素技術である、フォトディテクター、HBTの製作技術を確立するために、本学SVBLクリーンルーム内に設置されている、MOVPE装置を用いて、GalnP/GaAs HBT試作を行った。トランジスタ動作を確認できた。
(3)IBS法による粒状金属抵抗体の開発
PSDの重要な要素技術に低温度係数の抵抗体の開発がある。我々は、イオンビームスパッタリング(IBS)法によって、Pd/SIO2粒状金属薄膜を製作し、温度係数がゼロになる金属絶縁体面積比を決定した。
(4)Geナノクリスタル膜に見られるクーロンブロッケード効果
クラスタービーム蒸発法によって液体窒素温度に保たれた基板に堆積されたGeナノクリスタル膜で、室温においてもクーロンブロッケード効果が観測できることを見出した。電流電圧特性は、理想的にクーロンステアケースの場合のようなステップ状の特性ではなく、直線的な電流の増加が観測されている。このような電流電圧特性を説明するモデルを提案し、J. Appl. Phys.(2002)に印刷中である。
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