| 研究課題/領域番号 |
11695042
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
森崎 弘 電気通信大学, 電気通信学部, 教授 (00029167)
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| 研究分担者 |
小野 洋 電気通信大学, 電気通信学部, 助手 (00134867)
野崎 真次 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (20237837)
内田 和男 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (80293116)
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| 研究期間 (年度) |
1999 – 2001
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| キーワード | グリフィス大学 / 半導体位置センサー / MOVPE法 / 粒状金属薄膜 / クーロンブロッケード / クラスタービーム蒸発法 / 相転移 / 高圧相 |
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| 研究概要 |
本研究では、グリフィス大学のHamson教授(現工学部長)と我々のグループの間で、お互いの大学の研究施設を有効に利用しながら大学院生、教官の参画する、半導体ナノ構造材料・デバイスに関する教育・研究を進めることを目的としている。教育面での交流としては、グリフィス大学大学院学生のJoshua Combes氏を2度にわたって招聘し、電気通信大学において、半導体位置センサー(PSD)の設計に従事してもらった。研究面での交流としては、両大学の研究者が毎年相互に訪問しあって、それぞれの大学の半導体プロセス設備を相補的に使用してナノ構造半導体デバイスの開発に取組んだ。その結果、グリフィス大学のグループが要求するPosition Sensitive Devicesについては、その抵抗体に粒状金属薄膜が使用可能であることが見い出された。また、フォトディテクターにはMOVPE法によるGaInP/GaAsデバイスが有効であることが明らかになった。半導体ナノ構造については、ナノ構造化による相転移を詳しく調べた。その結果、従来見い出されたGeの相転移に加えて、Siでもナノ構造化することによって,通常のダイヤモンド構造ではなく、Wutzite構造をとることを見い出した。Geについては、バルクのGe結晶に10GPa程度までの超高圧を加えて高圧相を発生させ、その安定性を調べた。クラスタービーム蒸発法によって堆積されたGeナノ構造膜は、光酸化によってさらにその粒径を小さく且つ均一にそろえることができる。その結果、室温においてもクーロンブロッケード効果が観測できることを見出した。単電子デバイスの実現の可能性について,グリフィス大学のグループと検討を加えている段階である。
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