|
申請者を含む研究グループは、これまでstressed Ge:Ga検出器と呼ばれる、Ge:Ga半導体素子に機械的圧力を加え、波長100-200μm帯の遠赤外線に感度を持たせる検出器の開発を行って来た。現在までに、4×8素子の二次元アレー検出器の開発に成功している。これは素子数に於て世界最大であり、また世界最高の検出感度を有する検出器である。
この開発の成果を受け、今年度申請者は以下の開発を行った。
・素子位置精度の向上による、15段圧縮の成功
申請者はGe:Ga素子の位置精度を10μmにまで高める事により、これまで不可能だった15段までの素子の同時圧縮に成功した。
・0.5mm角素子の配置、加圧技術の確立
これまで用いてきた1mm角のGe:Ga素子に加え、0.5mm角素子を用いて同様の検出器を製作する技術を確立した。この技術は、特に宇宙放射線に晒される衛星環境での検出器の利用にとって重要である。
・観測の成功
4×8素子アレー検出器を気球望遠鏡に搭載し、観測飛翔を行った。飛翔中検出器は安定した動作を示し、オリオン星生成領域の観測に成功した。
|
