高角度分解能・高エネルギー分解能角度分解光電子分光を用いた低次元磁性体の研究

1999 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 11740192
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 小野 寛太 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (70282572)
• キーワード: 角度分解光電子分光 / 低次元磁性体 / ナノ構造 / 放射光

研究概要

平成11年度は昨年度に立ち上げた高分解能放射光ビームラインの後に高角度分解能・高エネルギー分解能角度分解光電子分光装置の立ち上げを行った。装置は、設計どおりの性能を満たし、低温(20k)、高エネルギー分解能(33meV)高角度分解能(±0.4°)での測定が可能になった。本年度は本装置を用いて、電荷密度波を示す物質(1T-TaSe_2,TaS_2,金属-絶縁体転移を示す表面物質(Bi/Si(lll)),表面2次元金属(√<7>×√<3>In/Si(lll))について詳細な研究を行った。

研究成果

• [文献書誌] K.Ono et al.: "Molecular Beam Epitaxy of MnSb/MnAs multilayess or GaAs"J. Cryst. Growth. 209. 556-560 (2000)
• [文献書誌] T.Uragami,K.Ono et al.: "The effect of S-and Se-passivation on ・・・"J. Cryst. Growth. 209. 561-565 (2000)
• [文献書誌] K.Ono et al.: "Electron localization in MnSb dot on GaAs"Physica B. (予定). (2000)
• [文献書誌] K.Horiba,K.Ono et al.: "Angle-resolved photoemission Study in the commersulate CDW IT-TaS*"Physica B. (予定). (2000)