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本研究ではHeLaS3細胞にGnT-III遺伝子を導入することによって、EGFシグナル経路にどのような変化が起こるかを検討した。^<125>I-EGFを用いた実験によってGnT-III導入細胞ではEGFレセプターのEGF結合能が低下していることが明らかとなったが、スキャッチャード解析により、これは主に低親和性受容体の減少によるものであることがわかった。高親和性受容体には変化がみられず、EGFレセプターの自己リン酸化の程度には変化がないことがわかった。一方、GnT-III導入細胞では受容体のエンドサイトーシスが亢進し、ERKの活性化が上昇することが明らかとなった。受容体のエンドサイトーシスの変化の機序を検討したところ、GnT-III導入細胞ではエンドサイトーシスに関与すると考えられているEGFレセプターのCaInドメイン中の^<996>Q-^<1022>Tに修飾がおこっていることが示唆された。この^<996>Q-^<1022>Tという配列はEGFレセプターの細胞内ドメインに存在するため、糖鎖に直接関係した修飾ではないと考えられる。現在精製EGFレセプターのペプチドマッピングをおこなうことにより、その修飾の位置と種類の同定を行っている。今後、この修飾がEGFシグナル経路にどのように影響するかをさらに検討する予定である。
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