| 研究課題/領域番号 |
11875075
|
|---|
| 研究機関 | 広島大学 |
|---|
研究代表者 |
中島 安理 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 助教授 (70304459)
|
|---|
| 研究分担者 |
鈴木 孝至 広島大学, 先端物質科学研究科, 助教授 (00192617)
横山 新 広島大学, ナノデバイス・システム研究センター, 教授 (80144880)
|
|---|
| キーワード | フラッシュメモリ / ナノスケール / フローティングドット / トランジスタ / 単一電子効果 / 電子波干渉 / 電子相関 / 少数電子系 |
|---|
| 研究概要 |
今年度は、微細フラッシュメモリ型トランジスタを広島大学のナノデバイス・システム研究センターにおいて作製するための準備として、直径6インチのSOIウエハから直径2インチのSOIウエハを作製するプロセスを開発した。当研究センターにおけるプロセス装置は、ほとんどが2インチウエハのみ対応可能である。一方、我々が提案している微細フラッシュメモリ型トランジスタは、SOIウエハを使用する構造となっている。しかし、現在市場においては、2インチSOIウエハは存在しないため、6インチウエハから2インチウエハを形成する必要がある。そのためのプロセスとしては、まず6インチウエハの基板の厚さを6インチウエハの厚さである約0.6mmから2インチウエハの厚さである約0.3mmにするための背面研削、6インチウエハからウェットエッチングにより2インチウエハをくり抜く工程、くり抜いた2インチウエハのエッジの部分を滑らかにするための面取り工程を行わなければならない。くり抜き工程については、フッ硝酸を用いてくり抜きが、本年度くり抜き用の治具を設計作製した。また、フッ硝酸のSiに対するエッチングレートを測定し、作製したくり抜き用の治具を用いて2インチウエハのくり抜きに成功した。。また、研削、面取り工程については、外注先を捜し出した。来年度は、この2インチSOIウエハを用いて、実際に微細フラッシュメモリ型トランジスタの作製を行う。
|
