研究概要 |
非中性プラズマとしての電子の閉込めについては整備は完了している.中性化に必要な正電荷を持つイオンを注入するためのイオン源の製作と,このイオンの閉込めを達成するための環境を現在整備中である. イオン源については,磁場強度と質量に依存して決る密度上限(Brillouin Limit)を,現実の実験環境のもとで押上げるために,最軽量の水素イオンを用いることとした.その発生法としては,電子による水素化合物からのスパッタリング法と放電による方法の両面から開発作業を進めている.前者については発生量は少ないが,ガス負荷が低いため良好な閉込めがあれば貯蔵により,必要密度に達する利点がある.後者についてはガス負荷を下げるため,水素含浸の金属化合物を広範囲に検討した結果,チタンリングに含浸させるという常識的な手法に落ちついた.現在までにチタンリングとセラミックリングを交互に挟んだ放電スタックと,その軸上を通る電子ビーム発生マウントを製作済みである. 実験を行うにさいしては,検討の結果,イオンのbuild-up時間のほうが長く,中性ガスの排気も必要なため,まずイオンを閉込め,その後に電子を追加することとした.それにしても,イオンの閉込めをある程度確保する必要があるため,従来の磁場強度を0.5kG以下から1kG近くまで強化する整備を平行して行っているところである.
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