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2011 年度 実績報告書

窒化物半導体の電子状態の解明と制御 : 歪工学による新機能光デバイス実現に向けて

研究課題

研究課題/領域番号 11J00290
研究機関京都大学

研究代表者

石井 良太  京都大学, 工学研究科, 特別研究員(DC2)

キーワード窒化アルミニウム / 変形ポテンシャル / 歪み / 一軸性応力 / 反射測定 / 弾性定数 / 励起子 / 窒化物半導体
研究概要

本年度は,窒化アルミニウムの6つの励起子変形ポテンシャルのうち2つ(以下,静水圧変形ポテンシャルと呼ぶ)を同定することに成功した.ここで,励起子変形ポテンシャルとは結晶の歪みに対する励起子の応答を記述する物理定数である.通常,歪みテンソルの相互関係において弾性定数が現れることから,励起子変形ポテンシャルの同定の際には弾性定数が既知である必要がある.しかしながら,窒化アルミニウムの弾性定数に関する報告は存在するものの,その値は非常にばらついている.したがって,採用する弾性定数によって異なった励起子変形ポテンシャルの値が得られるのが現状であった.
そこで,我々は一軸性応力下における歪みに対する励起子の応答を実験的に調べることを行った.これまでの研究は全て二軸性歪み条件における歪みに対する励起子の応答を調べていた.したがって,歪みテンソル間の関係が共通しており弾性定数の吟味ができなかった.一方,一軸性応力下で歪みに対する励起子の応答を調べれば,弾性定数の値に関する吟味が可能となる.具体的には,一軸性応力下の反射測定を行うことにより,複数の弾性定数の仮定の下で静水圧変形ポテンシャルを同定した.このようにして同定した弾性定数と静水圧変形ポテンシャルで,これまでに報告されていた二軸性歪み下の実験結果を記述すると,ある1つの弾性定数と静水圧変形ポテンシャルでしか従来の実験結果を説明できなかった.すなわち,我々は一軸性応力下および二軸性歪み下の両方の実験結果を説明する,弾性定数と静水圧変形ポテンシャルのセットを初めて同定することに成功した.これらの値は従来報告されているどの値とも異なるものであり,信頼性の高い新しい物理定数セットを世界に先駆けて報告することに成功した.これらの値は窒化物半導体デバイスの特性予測において非常に重要であり,信頼性の高い理論予測を可能にすると考えられる.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本研究の遂行に必要な窒化アルミニウム単結晶の入手に時間を費やしたものの概ね順調に進展していると言える.現在,実験装置の構築(応力印加装置の改造,新規光源の購入,窒素充填分光系の構築)および試料調達の全てが終わったので,今後さらなる研究成果を報告できると考えている.

今後の研究の推進方策

これまでに,本研究を遂行する上で必要な前準備は全て行ったので,後は実験を繰り返し行い解析を行うだけであると考えている.本研究の目的は,窒化物半導体の電子状態の解明と制御であるので,まずは窒化アルミニウムの変形ポテンシャルを全て実験的に同定する.そして,得られた物性定数を元に理論予測を行うことで,新機能を付与できる構造の可能性について言及する.それと同時に,励起子分子という素励起状態を用いたデバイスを実現する手法を展開するつもりである.これにも,一軸性応力の導入が有効であると考えている.

  • 研究成果

    (7件)

すべて 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (1件) 学会発表 (5件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果2011

    • 著者名/発表者名
      石井艮太, 金田昭男, ライアン バナル, 船戸充, 川上養一
    • 雑誌名

      信学技報,IEICE Technical Report

      巻: IEICE-111 ページ: 77-80

  • [学会発表] 窒化アルミニウムにおける静水圧変形ポテンシャルの同定2012

    • 著者名/発表者名
      石井艮太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第59回応用物理学会関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館
    • 年月日
      2012-03-17
  • [学会発表] 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果2011

    • 著者名/発表者名
      石井良太, 金田昭男, ライアン バナル, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      2011-11-18
  • [学会発表] 一軸性応力下におけるAlN薄膜のPLスペクトル2011

    • 著者名/発表者名
      石井良太, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-09-01
  • [学会発表] Effect of uniaxial stress on excitons in AlN2011

    • 著者名/発表者名
      R.Ishii, M.Funato, Y.Kawakarai
    • 学会等名
      9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-12
  • [学会発表] Uniaxial stress dependence of the excitonic transition in AlN2011

    • 著者名/発表者名
      R.Ishii, A.Kaneta, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium
    • 発表場所
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • 年月日
      2011-06-30
  • [備考]

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

URL: 

公開日: 2013-06-26  

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