| 研究課題/領域番号 |
12135205
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
高井 幹夫 大阪大学, 極限科学研究センター, 教授 (90142306)
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| 研究分担者 |
柳沢 淳一 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教授 (60239803)
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| キーワード | 電界放出電子源 / 電子源の高輝度化 / 電子源の安定化 / 電子源アレイ / FED / ディスプレイ / 陰極材料 / 真空マイクロエレクトロニクス |
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| 研究概要 |
1.極微構造電子源アレイの最適化
平成14年度までに完成したデュアルビームプロセスによる極微構造電子源とそのアレイを自由に設計製作するプロセスを極微細化、電子源構造の最適化(ゲート径、陰極ティップ形状、陰極ティップ高)を行い、放出電子のエネルギー分散を小さくする電子源アレイの条件を決定した。これを用いて作製した電子源は、これまで除去出来なからたゲートカソード間のリーク電流をほぼなくすことが出来た。
2.ナノ間隙陰極試作と評価
FIB/SEM描画装置によりナノメートルの精度と安定性でビーム制御を可能とし、電子ビーム支援堆積金属陰極先端をナノメートル間隙のマルチティップ化を図った。この構造の特性評価により、10数ナノ間隙の異なった放出サイトからの電子放出を観測した。
3.ビーム支援表面改質プロセスの最適化
平成14年までに開発したイオンビームやプラズマおよびUVレーザによる冷陰極ティップの表面改質とクリーニング技術を、CNTに応用し、CNT-FEDのための均質な電子源の作製を行った。特に波長可変のチューナブルレーザによる均質化のためのフォトンエネルギー依存性を明らかにした。
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