| 研究課題/領域番号 |
12305005
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
片山 光浩 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (70185817)
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| 研究分担者 |
本多 信一 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 (90324821)
尾浦 憲治郎 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60029288)
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| キーワード | 励起ガス雰囲気下表面プロセス / 低速イオン散乱・反跳分光法 / 全反射赤外分光法 / 表面水素 / 気相成長 / プラズマ / 水素サーファクタント / 吸着状態 |
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| 研究概要 |
本研究では、表面の組成と構造および表面水素の定量が可能な、イオンをプローブとする低速イオン散乱・反跳分光法(CAICISS・TOF-ERDA)と、吸着原子の結合状態の分析が可能な、光をプローブとする全反射赤外分光法(ATR-FTIR)に着目し、これらを相補的に組み合わせることにより、励起ガス雰囲気下の表面プロセスの光・イオンによる同時その場観察法を開拓することを目的とする。そのため、(1)従来の低速イオン散乱・反跳分光装置に、全反射赤外分光装置(ATR-FTIR)を導入し、10^<-6>〜10^<-2>Torrの励起ガス雰囲気下での光・イオンによる同時測定が可能となる装置の開発を行う。(2)これを用いて、(1)エピタキシーにおける励起水素の介在プロセス、(2)化学気相成長(CVD)などの気相成長プロセス、(3)プラズマと表面との相互作用プロセスなどの、励起ガス雰囲気下の種々の表面プロセスのその場観察を行い、ひいては励起ガス雰囲気下の表面動的過程に関する理解を発展させることを目的とした。
本年度では、現有の低エネルギーイオン散乱・反跳分光複合装置(CAICISS・TOF-ERDA)に、全反射赤外分光装置(ATR-FTIR)を導入し、10^<-6>〜10^<-2>Torrの励起ガス雰囲気下での光・イオンによる同時測定が可能となる装置の開発を行った。この装置を、励起水素雰囲気におけるSi(100)表面上のGe成長のリアリタイムその場計測に応用し、成長表面における吸着水素の挙動のリアルタイムその場計測に成功した。
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