| 研究課題/領域番号 |
12440083
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長田 俊人 東京大学, 物性研究所, 助教授 (00192526)
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| 研究分担者 |
松田 康弘 東京大学, 物性研究所, 助手 (10292757)
三浦 登 東京大学, 物性研究所, 教授 (70010949)
大道 英二 東京大学, 物性研究所, 助手 (00323634)
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| キーワード | 超強磁場 / 低次元電子系 / 電子相転移 / 2次元電子系 / 磁場誘起密度波相 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、100Tを超える超強磁場環境におかれた低次元電子系で発現する種々の新奇な電子相の探索と解明である。本年度は主にこの目的達成のための準備として、RF帯高周波バイアスを用いたパルス超強磁場下電気伝導測定技法の開発と、半導体試料作製環境の整備を行った。100T以上の超強磁場は幅数μ秒のパルスとしてのみ発生可能であるが、その下での物性測定は、巨大な放電雑音や誘導起電力,た試料の自己発熱のため極めて困難である。標準実験として一巻きコイル直接放電法によるパルス超強磁場下のグラファイトの磁気抵抗測定を行いながら、高周波実験系の整備と調整を行った。試料は小型プラスティック製デュワーで液体ヘリウムに浸して冷却した。その結果実験の障害となる巨大な放電雑音や誘導起電力は位相検波により十分除去できることがわかった。また試料の自己発熱による温度上昇の評価を行い、試料の微細化により発熱の影響を局限できることを示した。グラファイトの強磁場磁気抵抗については、超強磁場領域で発現が予想されていた新しい密度波相転移を示唆するデータは得られなかったが、Shubnikov-de Haas振動と思われる新たな磁気抵抗の構造を64T付近に観測した。この構造位置は一体のバンド理論では説明できず、強磁場下での電子相関を取り入れた最近の理論的予想を支持する結果となっている。本年度はまた、半導体試料作製のために、研究費の大部分を用いて分子線エピタキシー装置を購入し、結晶成長開始直前までの調整を行った。
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