| 研究概要 |
半導体量子ドット中の電子、励起子準位の幅は非常に狭く、吸収、発光スペクトル線の幅は極端は極端に狭い。しかし、試料作成時に導入されるドットサイズの不均一性に起因する不均一広がりのために、個々のドットの準位の鋭さは隠され、通常の吸収、発光スペクトルは幅広いものとなっている。この不均一広がりによる困難を乗り越えて、量子ドット中の光学遷移を自由に操作するために、本研究では(a)極めて精密(<1fs)に時間間隔の制御(位相制御)されたパルス対を用いて物質内に生成された2つの分極の干渉の時間変化を利用する原理的に新しい時間分解分光法であるコヒーレント制卸法と(b)光照射される量子ドットの数を極端に限定し、単一量子ドットの光励起や発光の観測を可能にしてくれる微小領域観測装置を組み合わせた全く新しい測定装置を組み上げ、半導体単一量子ドット中の光学遷移をコヒーレント制御し、量子ドット中の電子、励起子およびそのダイナミックスを調べることを研究目的としている。
コヒーレント制御法の根幹の技術であるフェムト秒光パルス対の位相固定化の装置の作製に関しては成功し、フェムト秒光源とこの位相固定化装置を組み合わせてフェーズロックされたフェムト秒光パルス対が安定に得られるようになった。この装置をGaAs、GaSe, ZnSe等の半導体の励起子ダイナミックスの解明に使用して、この方法の有効性を確認した。微小領域観測装置とコヒーレント制御法を組み合わせてGaAs, CdTe、CdMnTe量子ドット中の光学遷移をコヒーレント操作する研究にも着手し、GaAs量子ドット中の励起子分極が数10psの時間をおいた後でもコヒーレント制御できることを示した。
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