| 研究概要 |
(1)1,4-シクロヘキサジエン/Si(100)(2x1)系の被覆率依存性を詳細に調べた.高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)の結果から,吸着分子は被覆率が大きくなるにしたがって分子面がやや立ってくることを示唆する結果を得た.STM像を詳細に解析することにより以下のことが分かった.同列内のダイマー間の2倍以上の間隔を空けて吸着する場合は分子間相互作用が無いが,それ以下の場合は立体反発により分子の傾きに変化が現れることが直接見いだされた.
(2)1,4-シクロヘキサジエン/Si(100)(2x1)系に,超高真空中,室温の条件で塩素分子を導入し,真空側に存在するπ結合への付加反応を試みた.光電子分光で検証したが,上記条件では,2重結合への付加を示す積極的証拠を得られなかった.次に,1,3ブタジエンや1,3シクロヘキサジエンを超高真空中・室温の条件で,1,4-シクロヘキサジエン/Si(100)(2x1)系に導入した.吸着1,4-シクロヘキサジエン上に付加生成物ができているかどうかをSTMにより調べてみたが,顕著な像は得られなかった.以上のことから,1,4-シクロヘキサジエン/Si(100)(2x1)系の真空中に突き出したπ結合の反応性は,シリコン清浄表面のダングリングボンドよりかなり低いことが分かった.
(3)シクロヘキセン/Si(100)(2x1)系のコンフォメーション変化を詳細に調べた.STMによる2種類の分子像は,舟形とねじれ舟形と同定した.舟形は対称的で,ねじれ舟形は非対称で鏡像異性体をもつ.これらの吸着エネルギーの差を,室温での熱平衡を仮定して見積った.
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