| 研究概要 |
1.Cr^<4+>:YAG,Nd^<3+>:GGG薄膜の作製
Cr^<4+>:YAG,Nd^<3+>:GGG薄膜の作製を試み、Nd,Crイオンの価数制御条件を明らかにした。
Cr^<4+>:YAG薄膜については、ある分圧の酸素雰囲気中でCa^<2+>イオンをイオン価数補償剤としてYAGにドープすると4価のCrイオンの濃度を増加させることができた。この成果を基礎にCr,Ndコドーピングを試みた。
2.Cr^<4+>,Nd^<3+>co-doped GGGスラブ型導波路薄膜作製と光学測定
Two-Target PLD法を用い、それぞれのKrFレーザアブレーションフルエンスを調整し、CrとNdイオンのドープ濃度制御し、Cr/Nd比を任意に制御できた。
この導波路型薄膜の光学的測定から、低光伝搬損失のエピタキシャル薄膜であった。Crの価数制御を行ない、4価が支配的になるような作製条件を明らかにした。
3.自己Q-スイッチCr^<4+>,Nd^<3+>co-doped GGG導波路レーザQスイッチ発振特性の解析波長808nm発振のLDを励起源とし、この光源をシリンドリカルレンズで集光し結晶端面に入射するために対物レンズ(高NA)で絞り励起実験を行なった。計算機シミュレーションにより、当該導波路レーザのQスイッチ発振特性を数値解析した。Cr4+,Nd3+co-doped GGGスラブ型導波路レーザの自己Qスイッチ発振特性の数値解析を基礎に、実験的に改良を加えている。
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