| 研究課題/領域番号 |
12450035
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
小原 實 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (90101998)
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| 研究分担者 |
熊谷 寛 理工学研究所, レーザー物理工学研究室, 研究員
神成 文彦 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (40204804)
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| キーワード | 導波路レーザ / レーザアブレーション / Nd : GGG / Nd, Cr : YAG / 薄膜レーザ / 薄膜成長 |
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| 研究概要 |
(1)平成12年度で作製した導波路レーザの性能を向上させた。
(2)Cr^<4+>、Nd^<3+>co-doped GGGスラブ型導波路レーザ:計算機シミュレーションにより最適なNdとCrのドープ濃度、結晶長・出力鏡反射率を算出した。その結果を実験に反映させた。さらに結晶性とドープ濃度制御性を向上させた。
(3)自然放出寿命のより長いY^<3+>doped YAGスラブ型導波路を作製した。PLDに工夫を凝らし、5μmの厚みのYb^<3+>doped YAG膜をYAG(111)基板にエピタキシャル成長させることが出来た。Yb^<3+>濃度を100%までドープすることに始めて成功した。屈折率はn=1.851±0.0141(@1.03μm)、自然放出寿命は0.9±0.01msであった。この光学特性は、導波路レーザに適している品質の膜特性であることを示している。
(4)自己Q-スイッチCr^<4+>,Nd^<3+> co-doped GGG導波路レーザQスイッチ発振特性の解析、波長808nm発振のLDを励起源とし、この光源をシリンドリカルレンズで集光し結晶端面に入射するために対物レンズ(高NA)で絞り励起した。計算機シミュレーションにより、本導波路レーザの自己Qスイッチ発振特性を数値解析した。Cr^<4>+,Nd3+co-doped GGGスラブ型導波路レーザの自己Qスイッチ発振特性の数値解析を基礎に、さらに膜作製に改良を加えた。
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