| 研究概要 |
1 作製した導波路レーザ薄膜の性能の向上を図った。
2 Cr^<4+>, Nd^<3+>co-doped GGGスラブ型導波路レーザの計算機シミュレーションにより最適なNdとCrのドープ濃度、結晶長、出力鏡反射率を導出した。
3 セラミックターゲットを用いて高品質の単一方位の(110)Nd: KGW薄膜を作製することができた。結晶性は(1102)sapphire基板を用いた方が(100)YAG基板を用いるよりも良好であった。成長が抑制されるべきGW結晶は基板温度を700℃に設定しかつ、Kの比率を多くしたターゲットを用いることで成長を防ぐことが出来た。Ar雰囲気中で作製された薄膜は酸素中で作製されたものに比べて結晶、光学特性がはるかに良いものが得られ、最適な作製条件は:P(Ar)=0.05mbar, d_<T-S>=4cm, and T_S=700℃であった。作製した薄膜に900℃で1時間アニーリングを施すことによって結晶性を向上させることができることを示した。これは結晶に関与しないでアモルファスとして薄膜に混入していたKが再結晶化したためであると説明される。
4 フェムト秒レーザの干渉アブレーション技術を用いて、導波路に励起光用結合グレーテイングを作製する技術を確立した。
5 当該研究課題の研究成果を取りまとめて、報告書を作成した。
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