| 研究概要 |
本研究では、超短時間領域のコヒーレントフォノンおよび光励起キャリアをプローブとして、半導体材料やデバイスを評価するような、「テラヘルツ領域コヒーレント現象マイクロプロービング」装置の試作を目的としている.以下に本研究の成果を列記する.
1.2色ポンプ・プローブ装置の試作
ミクロ領域の測定機能を待たせたテラヘルツ領域マイクロプロービング装置については、2年度以降で行い,初年度は、マクロ量の測定が可能な基本的な装置を立ち上げた.チタンサファイア・パルスレーザーの基本波、2倍波および3倍波を用いた、2色ポンプ・プローブ時間分解測定装置を作成した。基本波のパルス幅は80フェムト秒以下であり、2倍波のパルス幅は約100フェムト秒程度であった.
2.マイクロ・ポンプ・プローブ装置の試作
マイクロ・ポンプ・プローブ装置の試作を行った結果,波長810nmのパルス光および開口比0.55の対物レンズを用いた場合、照射光のスポットサイズは約2.7μmφであり,理想的なスポットサイズ(約1.8μm)に近い値であることがわかった.また、試料上のパルス幅は100fs以下と、マクロ測定におけるパルス幅と遜色のない値に調整する事ができた.
3.種々の試料の評価
テラヘルツ領域コヒーレント現象マイクロプロービング装置を用いて,半導体材料および半導体超格子におけるコヒーレントフォノン波束および光励起キャリアのダイナミクスを評価した.
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