| 研究課題/領域番号 |
12555004
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
森下 義隆 東京農工大学, 工学部, 助教授 (00272633)
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| 研究分担者 |
石橋 隆幸 東京農工大学, 工学部, 助手 (20272635)
佐藤 勝昭 東京農工大学, 工学部, 教授 (50170733)
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| キーワード | 陽極酸化 / 量子ドット / フォトニクス / 半導体 / 希薄磁性半導体 |
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| 研究概要 |
位置とサイズを制御したハニカムホールアレイを自己組織的に陽極酸化で作製し評価することと、自己組織的に作製されたホールアレイ基板上に位置とサイズを制御した量子ドットを作製することを目的として、(1)陽極酸化の様々な条件下でのハニカム孔の作製、(2)分子線エピタキシー(MBE)法による半導体量子ドットの作製、(3)MBE法による希薄磁性半導体量子ドットの作製、(4)走査型プローブ顕微鏡の立ち上げを行った。
(1)に関しては、Wランプの照射下、アンモニア溶液中でGaAsを磁界を印加しながら陽極酸化することで、サイズ(約200nm)のそろったハニカム孔の形成に成功した。また、サイズを小さくするためには基板の比抵抗を小さくすることが必要であることが分かった。
(2)に関しては、サイズのそろったハニカム孔を有するGaAs基板を用いることで、InAs量子ドットのサイズのゆらぎを改善することに成功した。また、FIBで加工した基板上には、穴を埋めるようにドットが形成されることが分かった。
(3)に関しては、ハニカム孔を有するGaAs基板上にInMnAsの成長を行うと、ドットの形成が起こる臨界膜厚が厚くなることが分かった。また、ドットは孔の底および孔と孔の間の頂点の位置に形成されることが分かった。
これらの結果は、新しい微細化高技術の創成と、高品質な量子ドットを作製する際の中心的な基盤技術となるものである。
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