| 研究課題/領域番号 |
12555090
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
木村 健二 京都大学, 工学研究科, 教授 (50127073)
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| 研究分担者 |
三輪 司郎 ソニー(株), 環境解析技術部, 係長(研究職)
小林 一 ソニー(株), 環境解析技術部, 主任研究員
中嶋 薫 京都大学, 工学研究科, 助手 (80293885)
佐鳥 浩太郎 ソニー(株), 環境解析技術部, 係長(研究職)
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| キーワード | ゲート酸窒化膜 / 窒素分布 / 高分解能 / ラザフォード後方散乱法 / SIMS / AES |
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| 研究概要 |
シリコン酸窒化膜中の窒素の分析を精度良く行うためには、イオンチャネリング技術を利用するのが効果的である。現有のイオン加速器はイオンチャネリング測定に適合する高性能イオンビームの発生に問題があった。このため、現有の加速器の高圧電源を、安定性の良い高性能高圧電源に置き換える改良を行った。これと並行して、京都大学量子理工学研究実験センターのヴァンデグラーフ型加速器を利用して、イオンチャネリングを併用した高分解能RBS法による、極薄シリコン酸窒化膜(膜厚約2nm)中の窒素分布の高精度測定の可能性を探った。その結果、窒素の深さ分布を1at.%程度の精度でサブnmの深さ分解能を持って測定できることが判った。
次いで、同じ試料の窒素分布を、2次イオン質量分析法(SIMS)とオージェ電子分光法(AES)により測定して、高分解能RBS法の結果との比較を行った。その結果、SIMS法では検出感度は優れているものの、深さと窒素濃度の両方ともに従来の較正法では正しい値を得られないことが判った。今回の様に膜厚が非常に薄い場合には、高分解能RBS法の結果との比較により深さと濃度の較正を行うことが有効であることがわかった。
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