| 研究課題/領域番号 |
12555094
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 展開研究 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 山形大学 (2001-2002)
東北大学 (2000) |
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研究代表者 |
横山 道央 山形大学, 工学部, 助教授 (40261573)
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| 研究分担者 |
高橋 一清 山形大学, 工学部, 教授 (40261713)
中瀬 博之 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (60312675)
坪内 和夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (30006283)
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| 研究期間 (年度) |
2000 – 2002
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| キーワード | RF-CMOS / プログラマブルデバイス / CDMA パワーアンプ / シリコンアクティブインダクタ / システムインパッケージ / シリコンRFスイッチ |
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| 研究概要 |
本研究では、RF-CMOSシリコンシステムLSIの実現を目指し、従来から高周波アナログRF(Radio Frequency;無線周波数域)で用いられているGaAs素子にはない、nチャネルpチャネル素子を有効に用いた真のシリコンRF-CMOS集積回路を開発し、既に広く普及しているデジタルCMOS部とあわせた、次世代携帯情報端末用・低コスト・オールシリコンCMOS機能システム開発を目指した。
具体的には、LSI設計ツールと高周波回路解析シミュレータを用いて、シリコンM0SFETの設計・試作・実測ならびに高周波シミュレーション等を下記のように行い、シリコンアナログRF-CM0S回路設計開発手法の確立を目指した。
・1.2〜0.35ミクロンCMOSデバイスの設計試作。この単体デバイスの実測しシミュレーション特性とフィッテイング。
・900MHz帯CDMA(IS-95)携帯電話用送信線形パワーアンプ、1.9GHzW-CDMA、携帯電話用送信パワーアンプの設計・試作ならびに実測特性評価。
・超小型シリコンアクティブインダクタならびにシリコンRFスイッチの開発。
・同デバイス、ならびにアンプ・ミキサ、超小型インダクタ・キャパシタ群とによるインピーダンス整合回路部の設計。
・上記を統合したシリコンRFプログラマブルデバイスの考案と設計、動作解析。
以上により、デジタル論理回路で広く使われるシリコンCMOSデバイスの高周波応用を目指し、RF-CMOS機能デバイスの開発を行なった。デジタルCMOS部とあわせた低コストシリコンシステムインパッケージによる低消費電力超小型ソフトウェア無線端末実現の基盤技術を確立した。
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