研究課題/領域番号 |
12555173
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研究機関 | 宮城工業高等専門学校 |
研究代表者 |
松浦 真 宮城工業高等専門学校, 総合科学系・理数科, 教授 (40042262)
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研究分担者 |
生田 信之 宮城工業高等専門学校, 教授 (50042255)
今野 一弥 宮城工業高等専門学校, 助教授 (80270198)
鈴木 勝彦 宮城工業高等専門学校, 教授 (80187715)
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キーワード | Nd_2Fe_<14>B / HDDR / 微量添加物 / 水素 / XAFS |
研究概要 |
本年度は研究期間(3年間)の最初の年である。本年度の研究目標としては 1.Nd_2Fe_<14>B系磁石のHDDR過程における微量添加物Gaの磁気特性向上に及ぼす役割を明らかにする。 2.本研究で導入される主な装置の導入と立上げを行う。 ことである。 目的1.については主にXAFS法を用いて研究を行った。すなわちNd_<12.5>Fe_<bal>Ga_<0.3>Nb_<0.2>B_<6.2>におけるGa添加は保磁力の飛躍的な向上の効果がある。しかしその原因については明らかとなっていない。そのため本年度は上記の試料について均一化後、水素化による不均化処理後、脱水素化による再結合後の試料についてXAFSによりGaの局所構造を調べた。その結果Gaは 1)均一化処理後はNd_2Fe_<14>B構造のFe(4c)サイトを選択占有すること 2)不均化後は分解したα-Fe中に固溶すること 3)再結合後は再びNd_2Fe_<14>B構造のFe(4c)サイトを選択占有することが明らかとなった。 このような結果からGaは不均化後の再結合過程で結晶粒界に偏析し、結晶粒の表面エネルギーを下げることにより結晶粒の成長を抑え、結晶粒微細化の役割を果たしていると考えられる。 今後は再結合過程でGaがα-Feからどのような過程でNd_2Fe_<14>B構造のFe(4c)サイトに移行するかについてさらに詳細に調べることにより、上記の推論を確認して行く予定である。 目的2.についてはPCT測定装置、半導体検出器の導入は完了し、PCTについてはすでに実動しているが、半導体検出器については立上げが予定より少し遅れた。
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