|
本研究において電子系における近距離相関の効果を、多重散乱プロセスを足しあげるという方法で、系の密度(r_s)と偏極(ξ)の関数として使いやすい有効相互作用の形で求めることに成功した。具体的には、数値計算で求まったg-行列をseparable近似及び、密度行列の展開という方法を用いて、Skyrme型の有効ポテンシャルの形に表す手法を開発した。以上の計算は、スピン空間で偏極した系に対して行なわれ、得られた結果はスピンに依存する有効相互作用として表された。
また、強磁場下での2次元電子系に対する理論実験が爆発的な勢いで進展している現状を踏まえ、強磁場下2次元電子系の記述に、原子核理論の分野で発展したExtended RPA(ERPA)の理論を適用した。数値計算の結果、従来の理論では説明できなかったスピン密度励起や電荷密度励起のスペクトルを見事に説明した。これは、この系において2粒子2空孔の自由度の重要さを明確に示した世界で始めての結果である。特に、スピン密度励起においては、RPAの理論が予測していた低密度での系の不安定性がどのように2粒子2空孔の自由度によって取り除かれるかを明らかにした。また、電荷密度励起においては集団運動状態が低密度領域では、第一ではなく第二励起状態になることをKohnの定理と2粒子2空孔の自由度の働きにより予測している。
|
